광학기기 레폿
광학기기
본 자료는 광학기기의 대한 내용을 정리한 리포트입니다. 기기리포트자료모은것[1]
- 테라헤르츠파 광원
- 극초단 방사원(X-선) 스위치 개발
- 전자빔 [電子-, electron beam]
- 전자현미경
- 광학현미경
- 테라헤르츠파 광원
: 일반적으로 0.1 -10 THz 정도의 주파수를 가진 전자파를 발생하며, 파장으로는 30㎛ - 3000㎛, 에너지로는 0.4 - 40meV에 해당하는 영역이다. 따라서 우리가 흔히 말하는 빛과 기존의 전자파 영역의 중간에 위치하나 현재 이 대역에 만족할 만한 광원이 없다. 최근 반도체 제조기술의 발전에 의하여 나노구조를 가지는 반도체를 제작할 수 있게되었다. 즉 MBE나 MOCVD등의 방법을 이용하여 저차원 전자구조를 갖는 양자소자 제작이 가능하게되었고, 이 저차원 양자소자에서 일어나는 특성은 기존의 물리현상과는 다른 결과들을 보여 주고있다. 즉, 이러한 전자계에서의 페르미 에너지나 부준위 간격등이 수 meV범위내에 존재하게 된다. 에너지가 수 meV이기 때문에 진동수의 크기는 수 테라헤르트 범위에 있게 된다. 그러므로 원적외선 전자파와 저차원 전자계가 강하게 상호 작용할 수 있게되고, 자기-포톤-포논 공명과 같은 광자 유도 양자공명현상효과를 관측하는 것이 가능하다. 그리고 많은 화합물 반도체중 초격자구조를 갖는 GaAs를 기반으로 한 저차원 전자계에 대해서, 불순물이나 포논에 의한 산란에 기인한 전자 천이 율이 테라헤르츠 범위에 있게 되어 원적외선 전자파는 여기 전자에 대한 운동량과 에너지 이완에 강하게 영향을 주게된다. 이것은 곧 반도체 GaAs를 기반으로 한 저차원 전자계가 선형 및 비선형 영역에서 작동하는 테라헤르츠파 광원 소자로써 적용이 가능하다는 것을 의미한다. 테라헤르츠파 영역에서의 물질의 특성은 현재까지 자유전자 레이저를 이용하여 주로 bulk상태나 준 2차원 전자계에 대하여 여러 가지 방법으로 조사하였고 , 그 특성에 대한 이론적 계산과 모델을 가정하여 많이 규명하여 왔다. 그러나 테라헤르츠파가 편광성을 가질 때 준 2차원계인 양자우물에서 관측된 공명현상과 같이 양자선이나 양자점과 같은 저차원 양자소자계에서도 공명현상이 관측되리라 기대되는데 이에 대한 연구는 실험적, 이론적 결과가 거의 제시 되지 않고있다. 본 연구에서는 테라헤르츠파 광원에 대한 이론적 모델을 먼저 설정하고 그 설정된 모델에 따라 소자를 제작하며 그 특성을 규명한다. 이론적으로는 저차원 전자계와 테라헤르츠파의 상호 작용에 의한 공명흡수 메카니즘을 다양한 모델을 토대로 얻고, 전자의 개수, 구속 포텐셜의 조건등에 따른 물리적인 성질을 규명한뇩?그리고 실험적으로는 MBE와 MOCVD 방법으로 GaAs/AlGaAs와 GaP/InP 구조의 초격자구조를 제작하여 이것의 전자공명현상과 단색 광(pulse)을 이용한 테라헤르츠파 광원과 새로운 구조 즉, 공진기와 비선형 광물질(Photonics crystal)을 이용한 편광성이 좋은 테라헤르츠 광원을 개발하고 이를 이용하여 저차원 양자소자의 특성과 다양한 공명현상 메카니즘을 규명하여 테라헤르츠파 광원개발에 대한 기초적 자료를 제시하고자 한다.
자료출처 : http://www.ALLReport.co.kr/search/detail.asp?pk=16131357&sid=qjfRnf777&key=
[문서정보]
문서분량 : 2 Page
파일종류 : HWP 파일
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키워드 : 광학기기
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